哈尔滨工业大学
二〇一三年硕士研究生考试试题（回忆版）
考试科目：半导体物理 报考专业：微电子与固体电子学
考试科目代码：[ ]
考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号，答在试题上无效。
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题号 |
一 |
二 |
三 |
四 |
五 |
总分 |
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分数 |
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一、 解释下列名词或概念。（30分）
1. 定态光电导 2. pn结势垒
其余与往年相同
二、 比较深能级、浅能级和复合中心在半导体中的作用（类同杂质的作用）（30分）
三、 画出不同功函数情况下金属与半导体接触的能带图，分析此时两侧费米能级和载流子分布（书上四种情况）
四、 画出p或是n型半导体MOS结构可能的C-V特性曲线，（2）理想情况下，MOS结构需满足的条件（3）若SiO2中存在可动离子时，曲线如何变化。（30分）
五、 关于连续型方程的计算题，和往年题和书本例题差不多。（不难）
