2010哈尔滨工业大学微电子半导体物理考研真题

本站小编 免费考研网/2018-02-23

哈尔滨工业大学

二〇一〇年硕士研究生考试试题

考试科目:半导体物理                  报考专业:微电子与固体电子学

考试科目代码:[        ]             

考生注意:答案务必写在答题纸上,并标明题号,答在试题上无效。

题号

总分

分数

           
             

一、 解释下列名词或概念。(30分)

历年名词随机重复

二、 解释杂质在半导体中的作用。(30分)

三、 用p型半导体为例推导爱因斯坦关系式。(30分)

四、 分别画出零偏,反偏和正偏情况下,p-n结能带图,说明势垒区的形成物理过程并定性解释pn结的单向导电性。(30分)

五、 以NMOS为例,画出可能测得的高低频C-V特性曲线,如何测定平带电压,若二氧化硅中存在Na+,如何测得面密度。(30分)


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