2009哈尔滨工业大学微电子半导体物理考研真题

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哈尔滨工业大学

二〇〇九年硕士研究生考试试题

考试科目:半导体物理                  报考专业:微电子与固体电子学

考试科目代码:[        ]             

考生注意:答案务必写在答题纸上,并标明题号,答在试题上无效。

题号

总分

分数

           
             

一、 解释下列名词或概念。(30分)

1. 准费米能级                          2. 热载流子

3. 少子寿命                            4. 平带电压

5. 简并半导体                          6. 表明复合速度

7. 施主与受主杂质                      8. 空穴

9. 光电导                              10.小注入条件

11.格波

二、 简述半导体中载流子的主要散射结构。(30分)

三、 用能带论定性的说明导体、半导体和绝缘体的导电性。(30分)

四、 简述金半接触的形成过程,并说明两侧费米能级与载流子的分布(分情况讨论)(30分)

五、 如图所示,有一均匀掺杂的p型半导体(非高阻材料),在稳定光照下,体内均匀地产生非平衡载流子,且满足小注入条件,产生率为,半导体内部均匀掺有浓度为的金,电子的俘获系数为。仅在一面上存在表面复合,表面复合速度为,载流子的扩散系数为,试确定非平衡载流子分布。((30分)

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