2008哈尔滨工业大学微电子半导体物理考研真题

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哈尔滨工业大学

二〇〇八年硕士研究生考试试题

考试科目:半导体物理                  报考专业:微电子与固体电子学

考试科目代码:[        ]             

考生注意:答案务必写在答题纸上,并标明题号,答在试题上无效。

题号

总分

分数

           
             

一、 解释下列名词或概念。(3*10分)

1. 热载流子                            2. 准费米能级

3. 半导体功函数                        4. 空穴

5. 欧姆接触                            6. 高度补偿半导体

7. 少子寿命                            8. 简并半导体

9. 小注入条件                          10 .间接带隙半导体

二、 简述杂质在半导体的作用。(30分)

三、 以n型硅MOS结构为例,画出可能测得的高频和低频C-V特性曲线,说明如何确定平带电压,若SiO2层中存在Na+离子,曲线将如何变化?如何通过实验确定其面密度?(30分)

四、 以一维情况下,以P型非均匀掺杂半导体为例,推出爱因思坦关系式。(30分)

五、 试推导肖克莱方程。(30分)


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