2006哈尔滨工业大学微电子半导体物理考研真题

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哈尔滨工业大学

二〇〇六年硕士研究生考试试题

考试科目:半导体物理                  报考专业:微电子与固体电子学

考试科目代码:[        ]             

考生注意:答案务必写在答题纸上,并标明题号,答在试题上无效。

题号

总分

分数

           
             

一、 解释下列名词或概念。(3*10分)

1. 状态密度                            6. 光电导增益

2. 直接复合和间接复合                  7. 准费米能级   

3.受主杂质与施主杂质                  8. 本征吸收

4.热载流子                            9. 光电子发射效率

5.光电导敏度                          10. 光电导

二、 分别画出硅,锗和砷化镓能带结构,并指出各自的特点。(30分)

三、 简述半导体的散射机制。(30分)

四、 以下P型和MOS结构为例,说明的能测的C-V特性曲线,如果有Na+影响又如何?如何测定平带电压以及如何用实验的方法求出SiO2层中Na+密度。(30分)

五、 连续性方程。(和往年差不多)(30分)


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