哈尔滨工业大学

二〇一二年硕士研究生考试试题

考试科目：半导体物理                  报考专业：微电子与固体电子学

考试科目代码：[        ]             

考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号，答在试题上无效。

一、 解释下列名词或概念。（30分）

1. 杂质补偿              6.  简并半导体

2. 本征光电导                7. 施主与受主杂质

3. 有效质量                   8 . 电子亲和能

4. K空间等能面             9. 表面态

5. 费米能级                    10. 间接带隙半导体

二、 说明载流子散射的概念，光学波和声学波散射的物理机制的区别。以及分别在什么样晶体中起主要作用。（30分）

三、  分别画出P型和N型衬底的MOS结构可能测出的C-V特征曲线，说明SiO2层中存在可动Na离子分布，固定电荷和金属-半导体功函数差对C-V特征曲线的影响。简述半导体发光二极管的工作原理。（30分）

四、 简述平衡P-N结的建立过程。分别画出正偏和反偏下的能带图，载流子分布和电流分布图。

五 、有一面积很大的半导体薄片，厚度为w，以稳定光源均匀照射两面，设光只在表面层内产生电子空穴对，在消注入条件下，ΔP(0)= P1; ΔP(W)= P2 。问：

（1）片内非平衡载流子分布仅与时间有关，还是仅与空间位置有关？或与两者都有关？  

（2）试确定片内非平衡载流子的分布？