用户: 166****5125时间: 2022-11-01 21:53:35 来自: BAH3-W59
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界面上反复形成二维晶核的机制。这种方式，每增加一个原子层都需形成一个二维晶核，然后侧向铺展至整个表面。形成二维晶核需要形核功，这种机制下晶体长大速率很慢。这种理论的实验根据还不多；②依靠晶体缺陷长大。液体中的原子不断添加到晶体缺陷的台阶上使晶体长大。如可沿螺型位错的露头形成的台阶不断添加原子，没有能量障碍。但由于界面上提供的可添加原子的位置有限，在这种机制下，晶体生长速率也很小。
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胡赓祥《材料科学基础》（第3版）笔记和考研真题详解
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第1章 原子结构与键合
1.1 复习笔记
1.2 名校考研真题详解
第2章 固体结构
2.1 复习笔记
2.2 名校考研真题详解
第3章 晶体缺陷
3.1 复习笔记
3.2 名校考研真题详解
第4章 固体中原子及分子的运动
4.1 复习笔记
4.2 名校考研真题详解
第5章 材料的形变和再结晶
5.1 复习笔记
5.2 名校考研真题详解
第6章 单组元相图及纯晶体的凝固
6.1 复习笔记
6.2 名校考研真题详解
第7章 二元系相图和合金的凝固与制备原理
7.1 复习笔记
7.2 名校考研真题详解
第8章 三元相图
8.1 复习笔记
8.2 名校考研真题详解
第9章 材料的亚稳态
9.1 复习笔记
9.2 名校考研真题详解
第10章 材料的功能特性
10.1 复习笔记
10.2 名校考研真题详解
