用户: 吹泡糖时间: 2022-08-29 16:09:42 来自: 在线版
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4-1-1 题4-1-1图所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT等于多少；如是耗尽型，说明它的夹断电压VP等于多少。（图中iD的参考方向为流进漏极。）
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康华光《电子技术基础-模拟部分》（第6版）笔记和课后习题（含考研真题）详解
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第1章 绪 论
1.1 复习笔记
1.2 课后习题详解
1.3 名校考研真题详解
第2章 运算放大器
2.1 复习笔记
2.2 课后习题详解
2.3 名校考研真题详解
第3章 二极管及其基本电路
3.1 复习笔记
3.2 课后习题详解
3.3 名校考研真题详解
第4章 场效应三极管及其放大电路
4.1 复习笔记
4.2 课后习题详解
4.3 名校考研真题详解
第5章 双极结型三极管（BJT）及其放大电路
5.1 复习笔记
5.2 课后习题详解
5.3 名校考研真题详解
第6章 频率响应
6.1 复习笔记
6.2 课后习题详解
6.3 名校考研真题详解
第7章 模拟集成电路
7.1 复习笔记
7.2 课后习题详解
7.3 名校考研真题详解
第8章 反馈放大电路
8.1 复习笔记
8.2 课后习题详解
8.3 名校考研真题详解
第9章 功率放大电路
9.1 复习笔记
9.2 课后习题详解
9.3 名校考研真题详解
第10章 信号处理与信号产生电路
10.1 复习笔记
10.2 课后习题详解
10.3 名校考研真题详解
第11章 直流稳压电源
11.1 复习笔记
11.2 课后习题详解
11.3 名校考研真题详解
第12章 电子电路的计算机辅助分析与设计
12.1 复习笔记
12.2 课后习题详解
12.3 名校考研真题详解
