2019
一给出了PN结的参数，让求给定电流时的电压和给定电压时的电流
二给出一个MOS管的参数，让求沟道宽度电压，电流等
三考的集成运放那块的内容，要读懂电路然后求电压表达式，挺复杂一电路
四十个左右的简答吧，考的都是概念性的东西，比如带通带阻啊还有自激振荡以及反馈之类的
五MOS电路那块的内容，给定不同的负载电阻，让求几个管子工作在啥区
六还是几道简答，也是概念性的东西，比如竞争冒险之类的
七和八都是数电那块的东西，不算很难，考的是触发器和时序逻辑
总结一下，答得时候觉得答得还行，成绩出来和预期差的还是挺大的，考的也不算好，主要是考模电数电半导体物理，教材就用高文焕的电子线路基础，尼曼的半导体器件物理，还有阎石的数电，认真复习的话，过线还是没问题的。祝大家好运。



201612

今年整体来说比较难吧，我个人觉得难，器件重半导体物理部分，后面的器件基本没怎么考，模点比以往偏，没有考差分运放，重在运算放大器的部分，数电前面简单，但是最后一题也比较难。下面详细回忆下。

共11道题，前面器件，后模电，最后数电。

第一道，让分析半导体的电阻率随温度的变化关系，画出曲线并分析。

第二道，是半导体物理，告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系，求禁带宽度，空穴和电子的有效质量，还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。

第三道，是一道计算扩散电流的题，还算简单，第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。

第四道，是mos管电流的计算，但是最后一问考了速度饱和，写个没复习，不知道怎么算。

器件好像就这么几道其他的想不起来了。

模电具体的题号我都忘了，只能说说考了那些点，

首先2011年的真题原题又考了，

第五题，有好几道简单的问答题，1.问BJT与MOS管的跨导电流比，为什么BTJ要大，2.饱和时的cmos小型号等效电路图，3.让根据一个电路图设计电路，这次应该是一个积分运算电路，4.   根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止，5.一个运放后面接一个mos管然后构成一个负反馈，分别在漏级和源级有两个输出电压，第一问判断输出极性和反馈组态，后面求对于两个输出电压的增益。

第六题，是一个含有三个运算放大器组成的电路，让求各个电压，还有在不同的频率下的输出电压的幅值。这题比较难，分值最大25分，

还有什么我想不起来了，接下来的数电

1.还是给两个二进制数，让求原码反码补码，求和，

2.根据给的输出函数，用卡洛图化简电路图

3.给一个触发器的时序图，让判断什么类型的触发器，触发方式是电平还是脉冲，

4.给了一个38译码器和2位数据选择器求输出函数的表达式，并列出真值表。

5.让设计产生11位序列的序列发生器。

整体来说今年比去年难了好多，复习的重点反而没考，比如器件的pn结，mos管的阈值电压，三极管的计算都没考，重点在半导体物理部分，模电和以往也不一样，没有简单mos放大电路，也没有考差分运放，波特图等，重点是运算放大器的计算。只有数电和往年差不多，只是最后一题依然做不来。。。

唉，考研也就这样了，来攒一波人品，只求过线啊

201512

给学弟学妹们一点引导，顺便攒一波人品。。
十二道大题，第一大题填空题，很基础很基础，而且和往年真题重复率挺高。记得有滤波器，自激震荡条件什么的。
第二题是一个简单的共源放大器，连沟长调制效应都不考虑，算算直流工作点，增益，增益带宽积，输出摆幅。应该都会吧。。
第三题考运放。这题我总感觉试题印刷是不是出错了。。。考了那些理想运放电路的的运算关系什么的，最后还考了非理想修正。
然后好像就是器件大题了，就是简单计算，二极管电流计算，mos阈值电压计算，mos漏源电流计算，记几个公式就都会做了，今年器件考的十分简单，主要坑爹的是不让带计算器。但是有一题是考了能态密度，费米分布函数，这个需要半导体物理的基础。
数电考的和往年真题重复率很高，反码补码，逻辑函数化简，同或门cmos电路，施密特触发器（这题考了好多年。。连问的东西都一样），最后一题应该是压轴题，考计数器设计，要求可控加减计数，实在是没时间做了。
总体来说今年832考的比较容易，高文焕的模电，闫石的数电，尼曼的器件，这三本看懂了应该都没问题。
但是丫的数学好难，考得我差点心态崩溃。。祝我好运吧