材料科学基础名词解释 大全

点赞(0) 反对(0) 本站小编 免费考研网 2018-01-06 15:08:27 阅读(0)

超结构(超点阵,有序固溶体):对某些成分接近于一定的原子比(如AB 或AB3)的无序固溶体中,当它从高温缓冷到某一临界温度以下时,溶质原子会从统计随机分布状态过渡到占有一定位置的规则排列状态,即发生有序化过程,形成有序固溶体。

动态回复:在塑变过程中发生的回复。

动态再结晶:在塑变过程中发生的再结晶。 特点:反复形核,有限长大,晶粒较细。包含亚晶粒,位错密度较高,强度硬度高。

点阵畸变:在局部范围内,原子偏离其正常的点阵平衡位置,造成点阵畸变。

点阵常数:单胞的棱长。

单位位错:把柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错称为单位位错。

堆垛层错:实际晶体结构中,密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排。

大角度晶界:相邻晶粒的位相差大于10o

单晶体:是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排列。

多晶体:是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列,但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同,因此多晶体也可看成由许多取向不同的小单晶体(晶粒)组成 多滑移:当外力在几个滑移系上的分切应力相等并同时达到了临界分切应力时,产生同时滑移的现象。

多形性:当外界条件(温度和压力)改变时,元素的晶体结构可以发生转变,把这种性质称为多形性。

多边形化:由于位错运动使其由冷塑性变形时的无序状态变为垂直分布,形成亚晶界,这一过程称多边形化。

对称倾斜晶界:晶界两侧晶体互相倾斜 晶界的界面对于两个晶粒是对称的,其晶界视为一列平行的刃型位错组成。

电子化合物:电子化合物是指由主要电子浓度决定其晶体结构的一类化合物,又称休姆-罗塞里相。凡具有相同的电子浓度,则相的晶体结构类型相同。

电负性:元素获得或吸引电子的相对倾向。

电离势:从孤立的中性原子中去掉一个电子所需的能量。

电子亲合力:孤立的中性负电性原子得到一个电子所释放出的能量。

电子浓度:化合物中每个原子平均所占有的价电子数,用e/a表示。

二次再结晶:再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。

二次硬化: 高温回火时回火硬度高于淬火硬度的现象.

非晶体:原子没有长程的周期排列,无固定的熔点,各向同性等。

范德华键:由瞬间偶极矩和诱导偶极矩产生的分子间引力所构成的物理键。

范德华力:借助微弱的、瞬时的电偶极矩的感应作用将原来具有稳定的原子结构的原子或分子结合为一体的键合。

弗兰克尔空位:离开平衡位置的原子挤入点阵中的间隙位置,而在晶体中同时形成相等数目的空位和间隙原子。

非共格晶界:当两相在相界处的原子排列相差很大时,即错配度δ很大时形成非共格晶界。同大角度晶界相似,可看成由原子不规则排列的很薄的过渡层构成。

非均匀形核:新相优先在母相中存在的异质处形核,即依附于液相中的杂质或外来表面形核。 固溶体:是以某一组元为溶剂,在其晶体点阵中溶入其他组元原子(溶剂原子)所形成的均匀混合的固态溶体,它保持溶剂的晶体结构类型。

固溶强化:由于合金元素(杂质)的加入,导致的以金属为基体的合金的强度得到加强的现象。原因:由于溶质原子与位错相互作用的结果,溶质原子不仅使晶格发生畸变,而且易被吸附在位错附近形成柯氏气团,使位错被钉扎住,位错要脱钉,则必须增加外力,从而使变

形抗力提高。

割阶:若由运动的位错线或发生交割形成的曲折线段垂直于位错的滑移面时,则称为割阶。 扭折:若由运动的位错线或发生交割形成的曲折线段在位错的滑移面上时,称为扭折。 过饱和点缺陷:通过改变外部条件形成点缺陷,包括高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照等,这时的点缺陷浓度超过了平衡浓度,称为过饱和的点缺陷

过冷:结晶只有在T0以下的实际结晶温度下才能进行,这种现象称为过冷。

过冷度:相变过程中冷却到相变点以下某个温度后发生转变,平衡相变温度与该实际转变温度之差称过冷度。

光滑界面:界面的平衡结构应是只有少数几个原子位置被占据,或者极大部分原子位置都被固相原子占据,即界面基本上为完整的平面,这时界面呈光滑界面。

共晶转变:合金系中某一定化学成分的合金在一定温度下,同时由液相中结晶出两种不同成分和不同晶体结构的固相的过程称为共晶转变。

共析转变:由一种固相分解得到其他两个不同固相的转变。

共析反应:是指在一定温度下,由一定成分的固相同时析出两个成分和结构完全不同的新固相的过程。共析转变也是固态相变

共格相界:如果两相界面上的所有原子均成一一对应的完全匹配关系, 即界面上的原子同时处于两相晶格的结点上, 为相邻两晶体所共有, 这种相界就称为共格相界。

滑移线:材料在屈服时,试样表面出现的线纹称为滑移线。

滑移带:滑移线的集合构成滑移带,滑移带是由更细的滑移线所组成.

滑移:在外加切应力的作用下,通过位错中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移而逐步实现的。

位错滑移的特点

 

1) 刃型位错滑移的切应力方向与位错线垂直,而螺型位错滑移的切应力方向与位错线平行;

2) 无论刃型位错还是螺型位错,位错的运动方向总是与位错线垂直的;(伯氏矢量方向代表晶体的滑移方向)

3) 刃型位错引起的晶体的滑移方向与位错运动方向一致,而螺型位错引起的晶体的滑移方向与位错运动方向垂直;

4) 位错滑移的切应力方向与柏氏矢量一致;位错滑移后,滑移面两侧晶体的相对位移与柏氏矢量一致。

5) 对螺型位错,如果在原滑移面上运动受阻时,有可能转移到与之相交的另一滑移面上继续滑移,这称为交滑移 (双交滑移)

滑移系:晶体中一个滑移面及该面上一个滑移方向的组合称一个滑移系。

回复:指新的无畸变晶粒出现之前所产生的亚结构和性能变化的阶段。

合金:两种或两种以上的金属或金属与非金属经熔炼、烧结或其他方法组合而成并具有金属特性的物质。

合晶转变是由两个成分不同的液相L1和L2相互作用形成一个固相,即 L1 + L2 ? b

混合位错:其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线,而与位错线相交成任意角度,这种位错称为混合位错。

近程有序:在非晶态结构中,原子排列没有规律周期性,原子排列从总体上是无规则的,但是,近邻的原子排列是有一定的规律的这就是“短程有序”。

结构起伏:液态结构的原子排列为长程无序,短程有序,并且短程有序原子集团不是固定不变的,它是一种此消彼长、瞬息万变、尺寸不稳定的结构,这种现象称为结构起伏。 晶体结构:晶体中原子(分子或离子)在三维空间的具体排列方式, 其类型取决于原子的结

合方式,阵点的位置上可以是一个或多个实际质点或者原子团,其种类可以是无限的。 晶格:人为地将阵点用一系列相互平行的直线连接起来形成空间架格。

晶格畸变:点缺陷破坏了原子的平衡状态,使晶格发生扭曲,称晶格畸变。从而使强度、硬度提高,塑性、韧性下降;电阻升高,密度减小等。

晶面:点阵中阵点组成的面,表示原子面。

晶向:点阵中阵点的连线,表示原子列的方向。

晶体:原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列,有固定熔点、各向异性。 晶粒长大:是指再结晶结束后晶粒的长大过程,在晶界界面能的驱动下,新晶粒会发生合并长大,最终达到一个相对稳定的尺寸。

晶带轴:所有平行或相交于某一晶向直线的晶面构成一个晶带,此直线称为晶带轴。 间隙固溶体:溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体称为间隙固溶体。

晶胞:在点阵中取出一个具有代表性的基本单元(最小平行六面体)作为点阵的组成单元,称为晶胞。

间隙相:当非金属(X )和金属(M )原子半径的比值rX/rM<0.59 时,形成的具有简单晶体结构的相,称为间隙相。

间隙化合物:当非金属(X )和金属(M )原子半径的比值rX/rM>0.59 时,形成具有复杂晶体结构的相,

大角度晶界:多晶材料中各晶粒之间的晶界称为大角度晶界,即相邻晶粒的位相差大于10o 的晶界。

交滑移:当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时,有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面上去继续滑移,这一过程称为交滑移。

界面能:界面上的原子处在断键状态,具有超额能量。平均在界面单位面积上的超额能量叫

界面能。

晶界偏聚:由于晶内与晶界上的畸变能差别或由于空位的存在使得溶质原子或杂质原子在晶界上的富集现象。

晶界:晶界是成分结构相同的同种晶粒间的界面。

晶界特性

1)晶粒的长大和晶界的平直化能减少晶界面积和晶界能,在适当的温度下是一个自发的过程;须原子扩散实现

2) 晶界处原子排列不规则,常温下对位错的运动起阻碍作用,宏观上表现出提高强度和硬度;而高温下晶界由于起粘滞性,易使晶粒间滑动;

3) 晶界处有较多的缺陷,如空穴、位错等,具有较高的动能,原子扩散速度比晶内高;

4) 固态相变时,由于晶界能量高且原子扩散容易,所以新相易在晶界处形核;

5) 由于成分偏析和内吸附现象,晶界容易富集杂质原子,晶界熔点低,加热时易导致晶界先熔化;6)由于晶界能量较高、原子处于不稳定状态,以及晶界富集杂质原子的缘故,晶界腐蚀比晶内腐蚀速率快。

界面:通常包含几个原子层厚的区域,其原子排列及化学成分不同于晶体内部,可视为二维结构分布,也称为晶体的面缺陷。包括:外表面和内界面

外表面:指固体材料与气体或液体的分界面。它与摩擦、吸附、腐蚀、催化、光学、微电子等密切相关。

内界面:分为 晶粒界面、亚晶界、孪晶界、层错、相界面等。

晶界能:不论是小角度晶界或大角度晶界,这里的原子或多或少地偏离了平衡位置,所以相对于晶体内部,晶界处于较高的能量状态,高出的那部分能量称为晶界能,或称晶界自由能。

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