2015年天津大学硕士研究生微电子复试笔试试题

本站小编 免费考研网/2016-08-04

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2015年天津大学硕士研究生微电子复试笔试试题

一.选择

1. 关于CMOS

2. 关于动态反向器的完整性问题:四点 1电荷泄漏 2电荷分享 3电容耦合 4时钟贯通

二. 名词解释

建立时间,维持时间,时钟偏差,时钟抖动

三. 解释CMOS电路为什么对时间偏差不敏感?

四.电路设计

1.F------D

2.反向锁存器电路图

3.两输入CMOS与非门;三输入CMOS或非门

五.双极晶体管基区参入SiGe相对于普通基区Si的好处

六.常规直接带隙与间接带隙半导体哪个更适合做光电材料

七.激光产生的条件。用英语说的只要认识laser激光器这个词就可以,建议最好看赵毅强老师那本书里面的英文翻译

八.光电池一般用什么材料?衡量光电池的最重要指标是?什么参数与这个指标直接相关。

九.杂质光吸收与本征光吸收哪个吸收的光波波长长,为什么?

十.大扇入电路的优化
 


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