2014考研复试笔试题——微电子学与固体电子学
哈工大吴倩倩整理回忆版
第一部分：半导体器件原理（70分）
一、选择题（每道5分，共25分）
1．雪崩击穿电压的大小取决于什么_______
2．晶体管的β值下降到__一半_____时的电流为最大允许工作电流
3．强反型指的是少子数量与多子数量的关系（远远超过）
4．晶体管本身没有噪声，则__F噪声系数=1_____
5．晶体管的开关特性指的是什么量从10%到90%，双极型和MOSFET两种都是什么
量？
二、（25分）p-n结的势垒电容和扩散电容的概念，与偏压的关系
三、（20分）基区电导调制效应，及对电流增益的影响
第二部分：集成电路（60分，每道20）
四、关于伪NMOS，E/ENMOS，E/DNMOS三种电路的输出高低电平
五、TTL电路，求逻辑关系式；画出T1管（三个发射区）的版图；问输入饱和电流偏大、输出低电平偏大，在工艺参数不变的情况下应该怎么调整
六、给了一个CMOS版图，提取电路图，画逻辑图，写出逻辑关系式；
比较某点的高低噪声容限和上升下降时间。
第三部分：模电数电（都是蓝皮书的课后题）
七、（20）基础电子技术137页3-6，出了四个空（每空5分）
八、（20）基础电子技术162页4-2
九、（20）基础电子技术347页8-2（记住老版书的各种门的符号）
十、（10）集成电子技术41页9-7（要用与门实现）