课程编号：425 课程名称：半导体物理
一、 考试的总体要求
本考试大纲依据全国统编教材“半导体物理学”的主要内容制定。该课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、半导体表面及MIS结构、异质结、各种半导体效应基本原理和应用等。
二、 考试的内容及比例：
（一） 考试内容要点：
第一部分：（70%）
1、 半导体能带结构，半导体有效质量、空穴、杂质能级；
2、 热平衡状态下半导体载流子的统计分布：状态密度，费米分布函数和玻耳兹曼分布函数，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
3、 半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；
4、 非平衡载流子：非平衡载流子的注入与复合、寿命、扩散长度、准费米能级、陷阱效应、间接复合、表面复合概念，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
5、p-n结：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
6、 半导体表面与MIS结构：表面电场效应，理想MIS结构C-V特性，实际MIS系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响），表面电场对p-n结反向电流的影响；
第二部分：（30%）
7、 半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异
质p-n结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；
8、 半导体光学性质：半导体光吸收，光电效应及应用, 半导体发
光概念与应用，半导体激光与应用；
9、 半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，
非晶态半导体概念；
（二） 比例：
考试内容前6个问题占70%，后3个问题占30%，计算与推导题基本覆盖2至6个问题中。
三、 试卷题型及比例
1、 概念与问答题：40%；2、论述题：30%；3、计算与推导题：20%；
4、实验与综合题：10%。
四、 考试形式及时间
考试形式均为笔试。考试时间为三小时(满分150)。
五、 主要参考教材（参考书目）
《半导体物理学》刘恩科等编，电子工业出版社或 国防工业出版社。